Gelişmiş bellek teknolojisinde dünya lideri olan Samsung Electronics, küresel bilgisayar üreticilerine gönderilmek üzere 100’den fazla üç baytlık hücre katmanına sahip altıncı nesil 256-Gigabit V-NAND modülünü temel alan 250GB SATA SSD’nin seri üretimini duyurdu. Samsung’un yeni nesil V-NAND modüllerini üretmesi yalnızca 13 ay sürdü ve en yüksek performanslı, en enerji verimli ve üretimi en kolay modülleri üretirken üretim döngüsünü dört ay kısalttı.
Samsung’un altıncı nesil V-NAND modülleri sektörün en yüksek veri hızlarını sunarak şirketin 3D belleği bir üst seviyeye taşıyan üretim avantajını ortaya koyuyor. Samsung’un benzersiz “kanal aşındırma” teknolojisi sayesinde yeni V-NAND yongaları, önceki nesil 9x tek blok bellek modüllerine göre yaklaşık %40 daha fazla hücreye sahip. Bu, elektriksel olarak iletken 136 katmanlı bir yapının oluşturulması, ardından silindirik deliklerin dikey olarak yukarıdan aşağıya doğru delinmesi ve bunun sonucunda yük tuzağı flaş CTF teknolojisine sahip homojen bir üç boyutlu hücrenin elde edilmesiyle sağlanır.
Her bir hücre içindeki matris yüksekliği arttıkça, NAND flaş yongaları hataya ve okuma gecikmelerine karşı daha hassas hale gelir. Bu sınırlamanın üstesinden gelmek için Samsung, yazma işlemleri için 450 mikrosaniyenin µs altında ve okuma işlemleri için 45 µs’nin altında maksimum aktarım hızları sağlayan, hız optimizasyonlu bir devre tasarımı uygulamıştır. Yeni tasarım, önceki nesle kıyasla %10’dan fazla performans artışı ve güç tüketiminde %15’ten fazla azalma sağlıyor.
Optimize edilmiş bir tasarım sayesinde yeni nesil V-NAND çözümleri, çip performansından veya güvenilirliğinden ödün vermeden üç altıncı nesil hücreyi birleştirerek 300’den fazla katman elde edebilir. Buna ek olarak, yeni nesil 256GB çip, önceki nesildeki 930 milyon kanala kıyasla sadece 670 milyon kanal gerektiriyor. Çip boyutu küçültüldü ve üretim adımları azaltılarak üretim verimliliği %20 artırıldı.
Yüksek hız ve düşük güç özelliklerinden yararlanan Samsung, 3D V-NAND çözümlerinin kullanımını yalnızca mobil cihazlar ve kurumsal sunucular gibi cihazlara genişletmeyi değil, aynı zamanda bunları yüksek güvenilirliğin önemli olduğu otomotiv pazarına da getirmeyi amaçlıyor.
Samsung Electronics flash bellek ve teknoloji başkan yardımcısı Kye Hyun Kyung, “Gelişmiş 3D bellek teknolojisini seri üretim modellerine dahil ederek, önemli ölçüde daha yüksek hız ve güç tüketimine sahip bellek hatları sunabiliriz” dedi. – Yeni nesil V-NAND ürünlerinin geliştirme döngüsünü kısaltarak, yüksek hızlı, yüksek performanslı 512 Gigabit V-NAND çözümlerimiz için pazarı agresif bir şekilde genişletmeyi planlıyoruz.
250GB SSD’nin piyasaya sürülmesinin ardından Samsung, yılın ikinci yarısında 512GB üçlü V-NAND SSD ve eUFS’yi piyasaya sürmeyi planlıyor. Şirket ayrıca önümüzdeki yıldan itibaren Kore’deki Pyeongtaek tesisinde güçlü, yüksek hızlı, altıncı nesil V-NAND çözümlerinin üretimini genişletmeyi planlıyor.
Samsung, altıncı nesil V-NAND 3D SSD’yi tanıttı. Bu yeni SSD, teknolojik gelişmelerle birlikte yüksek performans sunarak depolama alanı ihtiyaçlarını karşılamayı hedefliyor. Ancak, buna rağmen fiyat konusunda endişelerim var. Yeni nesil V-NAND SSD’ler, mevcutlarla karşılaştırıldığında ne gibi avantajlar sunuyor ve fiyatları ne kadar olacak?